[发明专利]双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法有效
| 申请号： | 202111621854.8 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114005871B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张文渊;马鸿铭;王哲 | 申请（专利权）人： | 北京昕感科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京秉文同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11859 | 代理人： | 赵星;陈少丽 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了双沟槽碳化硅MOSFET结构和制造方法，结构由多个元胞排列组成，每个元胞具有衬底和漂移层；漂移层上有栅极沟槽和源极沟槽，源极沟槽周围有N型空穴阻挡层和P+型屏蔽层，在源极沟槽中形成源极金属；在漂移层和N型空穴阻挡层顶部形成P型基区，在P型基区和P+型屏蔽层顶部形成N+型源区，N+型源区和源极金属之间等处具有欧姆接触金属层;在栅极沟槽的底面和内侧面等处形成栅极热氧化介质层，栅极热氧化介质层呈腔型，在腔型内形成栅极沉淀介质层和栅电极；栅电极和源极金属之间具有层间介质。该结构能够提高器件的栅极介质层可靠性，减小导通电阻，从而降低导通静态损耗，减小栅漏电容和栅极电荷，从而降低开关动态损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京昕感科技有限责任公司，未经北京昕感科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111621854.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
