[发明专利]一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法在审
| 申请号： | 202111619653.4 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114551221A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 田洪军;覃文治;陈庆敏;齐瑞峰;刘源;谢和平 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘二格 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，该方法采用分步制备的方式，其步骤包括：一、准备干净的半导体衬底材料；二、在所述半导体衬底上制备一层满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅；三、在所述富氮型氮化硅上制备一层满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅；四、对所述氮化硅进行低温退火。本发明能够获得低应力、高硬度、耐腐蚀的氮化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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