[发明专利]一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，包括四个步骤：

步骤S1、准备干净半导体衬底材料；

步骤S2、在所述衬底上制备一层满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅；

步骤S3、在所述富氮型氮化硅上再次制备一层满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅；

步骤S4、对复合氮化硅薄膜进行低温退火。

2.如权利要求1所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中，采用ICPCVD法在衬底材料上沉积满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅。

3.如权利要求2所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中，满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅为SiNx，其中x≥1.33。

4.如权利要求3所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中，满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅厚度范围为10nm-2000nm。

5.如权利要求4所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中，满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅通过调节反应气体比例实现，沉积氮化硅的反应气体包括含氮类气体和含硅类气体。

6.如权利要求5所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S3中，采用ICPCVD法在富氮型氮化硅上沉积满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅，形成复合型氮化硅薄膜。

7.如权利要求6所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S3中，满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅为SiNx，其中x≤1.33。

8.如权利要求7所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S3中，满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅薄膜厚度范围为10nm-2000nm。

9.如权利要求8所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S3中，满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅通过调节反应气体比例实现，沉积氮化硅的反应气体包括含氮类气体和含硅类气体。

10.如权利要求9所述的在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，其特征在于，步骤S4中，低温退火的退火温度不高于450℃，低温退火方式为管式炉退火或快速退火炉退火，其中管式炉退火的时间不少于20分钟，快速退火炉的退火时间不少于2分钟。