[发明专利]一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202111618972.3 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114284231A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋;王美玉;曾凡明;李生东 | 申请（专利权）人： | 珠海镓未来科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L25/18;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种级联型GaN基功率器件的封装结构及封装方法。其中，该封装结构中，HEMT芯片、MOSFET芯片、框架基岛和导电连接结构封装于塑封材料中；框架基岛的第一侧表面设置有凹槽，导电连接结构固定于凹槽内且与框架基岛绝缘；MOSFET芯片倒置于框架基岛的第一侧表面，MOSFET芯片的栅极与导电连接结构电连接，源极与第一侧表面的非凹槽所在区电连接；HEMT芯片正置于框架基岛的第一侧表面，源极与MOSFET芯片的漏极通过引线电连接；栅极通过引线与框架基岛电连接。本发明实施例提高了芯片散热性能和可靠性，同时，降低了寄生感抗，提高了开关性能和能源效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 级联 gan 功率 器件 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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