[发明专利]半导体工艺设备及其使用方法在审
| 申请号: | 202111603578.2 | 申请日: | 2021-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN114318303A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 邢程;宋倩倩;孙鹏;刘伟杰 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/44;C23C16/52;C30B29/06;C30B33/06;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田施雨;张凤伟 |
| 地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明提供一种半导体工艺设备及其使用方法,其中半导体工艺设备包括反应腔,用于承载晶圆,所述晶圆包括相对的第一面和第二面;位于所述反应腔内的加热装置,所述加热装置包括若干加热单元,各所述加热单元对所述第一面的对应区域独立加热;位于所述反应腔内的薄膜沉积装置,用于对所述第二面进行成膜处理;用于解决不对称形变晶圆的翘曲问题,消除晶圆翘曲在加工工艺中的负面影响,从而提高晶圆的加工质量和性能,为形成高质量的半导体器件做准备。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





