[发明专利]半导体工艺设备及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

反应腔，用于承载晶圆，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；

位于所述反应腔内的加热装置，所述加热装置包括若干加热单元，各所述加热单元对所述第一面的对应区域独立加热；

位于所述反应腔内的薄膜沉积装置，用于对所述第二面进行成膜处理。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热装置还包括位于所述反应腔内的基座，若干所述加热单元连接在所述基座上且均匀地分布在所述基座上。

3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热装置还包括若干气冷单元，所述气冷单元位于相邻的所述加热单元之间。

4.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述气冷单元包括若干个包括贯穿所述基座的气孔，所述气孔的一端与外部连接，用于将外部的气体引进到所述反应腔内且气冷所述第一面。

5.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述加热单元的功率与所述加热单元在所述晶圆上所对应区域的翘曲率呈正相关。

6.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括：套设在所述加热单元上且朝向所述第一面的保护罩，所述保护罩与所述第一面非接触。

7.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述反应腔上具有若干排气管路。

8.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括：位于所述基座上的热成像仪，用于反馈所述晶圆的表面温度信息。

9.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括：位于所述反应腔内的卡槽，所述晶圆位于所述卡槽上，所述加热装置和所述薄膜沉积装置分别位于所述卡槽的两侧，所述加热装置对所述第一面产生的气压与所述薄膜沉积装置对所述第二面产生的气压平衡。

10.如权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，若干所述排气管路沿着所述卡槽的边缘均匀分布。

11.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括：薄膜气体反应腔，所述薄膜气体反应腔产生等离子体发射至所述第二面，在所述第二面形成薄膜。

12.一种半导体工艺设备的使用方法，其特征在于，包括：

提供如权1至权11任一项半导体工艺设备；

将带翘曲的晶圆放置于反应腔内，所述晶圆包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向所述加热装置，所述第二面朝向所述薄膜沉积装置，所述第一面包括若干区域；

获取各所述区域的翘曲率；

所述加热单元分别根据所对应所述区域的翘曲率对所述第一面进行独立加热处理；

采用薄膜沉积装置，在所述第二面形成薄膜。

13.如权利要求12所述的半导体工艺设备的使用方法，其特征在于，所述成膜的厚度与所述加热处理的加热温度呈正相关。

14.如权利要求12所述的半导体工艺设备的使用方法，所述加热单元还包括气冷单元，所述气冷单元位于相邻的所述加热单元之间。

15.如权利要求13所述的半导体工艺设备的使用方法，其特征在于，所述加热单元的功率与所述加热单元在所述晶圆上所对应区域的翘曲率呈正相关。