[发明专利]微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法在审
| 申请号： | 202111598421.5 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN116332112A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王诗男 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01M3/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法，其包括：提供第一基板；提供第二基板，接着于所述第二基板的第二主面上形成膜层；于所述第二基板的第一主面上形成底部显露出所述膜层一部分的凹部，所述第二基板的第二主面上还形成有用于容纳微电子器件的空腔；使所述第二基板的第一主面与所述第一基板键合，以使所述空腔与所述第一基板形成气密性空腔，同时使所述凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据所述密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。通过本发明所述的制作方法，可以在将微电子器件键合封装的同时形成该气密性监测结构，可解决现有技术中真空腔内MEMS器件的可信度较低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 空腔 内部 气密性 监测 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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