[发明专利]微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法

权利要求书

1.一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供第一基板；

提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，接着于所述第二基板的第二主面上形成膜层；

于所述第二基板的第一主面上形成底部显露出所述膜层一部分的凹部，所述第二基板的第二主面上还形成有用于容纳微电子器件的空腔；

使所述第二基板的第一主面与所述第一基板键合，以使所述空腔与所述第一基板形成气密性空腔，同时使所述凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据所述密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。

2.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于：所述膜层与所述第二基板一体化形成，通过光刻工艺和刻蚀工艺于所述第二基板的第一主面的表面形成所述凹部。

3.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于：于所述第二基板的第二主面上形成所述膜层的步骤之前，通过光刻工艺和刻蚀工艺于所述第二基板上形成贯穿孔，所述贯穿孔和所述膜层的一部分构成所述凹部。

4.根据权利要求3所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于：所述膜层与所述第二基板具有不同的材料，其中所述膜层是通过低压化学气相沉积工艺沉积的选自以下材料中的一种构成的单层或者它们的复合层：多晶硅、氧化硅和氮化硅。

5.根据权利要求2或3所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于：所述膜层形成为圆形形状且具有在1mm-10mm的直径，在1微米-20微米的厚度。

6.根据权利要求2或3所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第二基板的第一主面上形成第一材料层；

通过光刻工艺和刻蚀工艺使所述第一材料层形成为第一图形化层。

7.根据权利要求6所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于，在使所述第二基板的第一主面与所述第一基板键合的步骤之前，所述制作方法还包括：

于所述第一基板的第一主面上形成第二材料层；

通过光刻工艺和刻蚀工艺使所述第二材料层形成为第二图形化层，所述第一图形化层与所述第二图形化层逐个对准并发生键合以形成键合层，其中所述键合层为Al-Ge共晶键合层。

8.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于：通过所述第一基板与所述第二基板界面之间的直接键合来形成所述键合层。

9.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制作方法，其特征在于：所述微电子器件的主体部设置于所述第一基板的第一主面上。