[发明专利]一种半导体晶圆干刻后清洗工艺有效
| 申请号： | 202111590538.9 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114273320B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王磊;承明忠;符佳立 | 申请（专利权）人： | 江阴江化微电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/04;H01L21/02;C11D7/08;C11D7/32;C11D7/50;C11D7/60;C11D1/72;C11D1/74;C11D3/04;C11D3/22;C11D3/43;C11D3/60 |
| 代理公司： | 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 | 代理人： | 杜兴 |
| 地址： | 214400 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆干刻后清洗工艺，半导体晶圆包括裸露的铝结构层；包括以下步骤：S1：清洗剂A预清洗晶圆的干刻有机残留物，清洗完毕后，用水溶性有机溶剂清洗晶圆；S2：用主要组成为氟离子源的清洗剂B清洗去除晶圆的牺牲层，清洗完毕后，用水溶性有机溶剂清洗晶圆；S3：超纯水清洗晶圆，干燥晶圆；按质量百分比计，清洗剂A的主要组成为30～60%的硫酸、22~53%的有机溶剂、15～25%的水和0.01～0.8%的第一复配缓蚀剂，第一复配缓蚀剂的主要组成为氨基酸类缓蚀剂、巯基杂环化合物和无机酸缓蚀剂。本发明半导体晶圆干刻后清洗工艺充分去除干刻残留和牺牲层并将对铝结构层的腐蚀维持在较低程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶圆干刻后 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
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