[发明专利]一种半导体晶圆干刻后清洗工艺

权利要求书

1.一种半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述半导体晶圆包括裸露的铝结构层；包括以下步骤：

S1：清洗剂A预清洗晶圆的干刻有机残留物，清洗完毕后，用水溶性有机溶剂清洗晶圆；

S2：用主要组成为氟离子源的清洗剂B清洗去除晶圆的牺牲层，清洗完毕后，用水溶性有机溶剂清洗晶圆；

S3：超纯水清洗晶圆，干燥晶圆；

按质量百分比计，所述清洗剂A的主要组成为30～60%的硫酸、22~ 53%的有机溶剂、15～25%的水和0.01～0.8%的第一复配缓蚀剂，所述第一复配缓蚀剂的主要组成为氨基酸类缓蚀剂、巯基杂环化合物和无机酸缓蚀剂；

按质量百分比计，所述清洗剂B的主要组成为20～50%的氟离子源、20～45%的水、20～50%的有机溶剂和0.01～1.5%的第二复配缓蚀剂；所述第二复配缓蚀剂中氨基酸类缓蚀剂、天然多糖类缓蚀剂和无机酸缓蚀剂的质量比为1：（0.9~3.5）：（0.1~0.5）。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述清洗剂A的清洗温度为 20～30 ℃。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述第一复配缓蚀剂中氨基酸类缓蚀剂、含巯基杂环化合物和无机酸缓蚀剂的质量比为1：（0.9~3.5）：（0.1~0.5）。

4.根据权利要求3所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述氨基酸类缓蚀剂为选自L-赖氨酸和谷氨酸中的至少一种；所述含巯基杂环化合物为8-巯基腺苷；所述无机酸缓蚀剂为选自钼酸、钨酸、硅酸中的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述清洗剂A的有机溶剂由A组分和B组分混合而成；A组分为醇醚，B组分为选自醇、N,N-二甲基丙烯基脲、亚砜中的至少一种，A组分和B组分的质量比为1：（1～5）。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述晶圆还包括牺牲层包覆的铝结构层。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述氟离子源由氟化铵和氟化氢组成；所述清洗剂B中氟化铵和氟化氢的质量比为（3～10）：1。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述清洗剂B中还包括非离子表面活性剂的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体晶圆干刻后清洗工艺，其特征在于，所述清洗剂B的清洗温度为20～30℃。