[发明专利]一种抛光液及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202111576330.1 申请日: 2021-12-21
公开(公告)号: CN114181629B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 谢李乐;柴智敏;王同庆;路新春 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苟冬梅
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种抛光液及其制备方法与应用。该抛光液包括CeO2悬浮液和表面活性剂,所述表面活性剂选自离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂。用本发明的抛光液对SiO2和Si3N4空白晶圆片进行化学机械抛光,对氮化硅的去除速率可低于抛光后的SiO2和Si3N4空白晶圆片表面粗糙度均在1nm以下,SiO2膜层和Si3N4膜层的表面划痕数量均小于等于未添加活性剂时的表面划痕数量,表面划痕最大深度也均小于未添加活性剂时的最大划痕深度,分别降低约200pm和250pm,说明用本发明的抛光液抛光,晶圆片能够具有良好的表面质量。
搜索关键词: 一种 抛光 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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