[发明专利]一种抛光液及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111576330.1 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114181629B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 谢李乐;柴智敏;王同庆;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苟冬梅 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种抛光液，其特征在于，所述抛光液由CeO2悬浮液和表面活性剂组成；
其中，CeO2悬浮液由CeO2颗粒和水组成，所述CeO2悬浮液的水料比为2-32，所述CeO2悬浮液通过球磨6-12小时制备得到，所述表面活性剂为PEG；
其中，所述CeO2的浓度为0.015wt.％-0.075wt％，所述表面活性剂的浓度为0.015wt.％-0.045wt.％；
其中，所述CeO2颗粒的粒径为30-150nm；
所述抛光液分别对二氧化硅空白晶圆片和氮化硅空白晶圆片抛光后，二氧化硅空白晶圆片表面的划痕数量≤11条，氮化硅空白晶圆片表面的划痕数量≤3条时，所述抛光液的pH值为4-12。
2.根据权利要求1所述抛光液，其特征在于，所述CeO2的浓度与表面活性剂的浓度相等。
3.根据权利要求1所述抛光液，其特征在于，其中的CeO2颗粒的粒径为30-120nm。
4.根据权利要求3所述抛光液，其特征在于，其中的CeO2颗粒的粒径为30-90nm。
5.根据权利要求4所述抛光液，其特征在于，所述CeO2悬浮液静置7天无明显沉淀。
6.根据权利要求1-2任一所述抛光液，其特征在于，所述抛光液对氮化硅的去除速率为pH值为4或pH值为7-12。
7.根据权利要求1-2任一所述抛光液，其特征在于，所述抛光液对氮化硅的去除速率为pH值为10-12。
8.根据权利要求1-2任一所述抛光液，其特征在于，所述抛光液对二氧化硅和氮化硅的去除选择比为20-30，pH值为4或12。
9.根据权利要求1-2任意一项所述抛光液，其特征在于，所述抛光液分别对二氧化硅空白晶圆片和氮化硅空白晶圆片抛光后，二氧化硅空白晶圆片表面的划痕数量≤8条，氮化硅空白晶圆片表面的划痕数量≤2条时，pH值为8-12。
10.根据权利要求1-2任意一项所述抛光液的制备方法，其特征在于，将CeO2颗粒、表面活性剂与水加入球磨机中进行湿磨粉碎，粉碎后得到的液体即为所述抛光液，粉碎时球磨机中的磨球直径为0.5-2mm。
11.根据权利要求10所述制备方法，其特征在于，其中，粉碎时球磨机中的磨球直径为0.5-1.5mm。
12.根据权利要求10所述制备方法，其特征在于，粉碎时球磨机中的磨球与CeO2颗粒的质量比为2-8。
13.根据权利要求12所述制备方法，其特征在于，粉碎时球磨机中的磨球与CeO2颗粒的质量比为5-7。
14.根据权利要求10所述制备方法，其特征在于，粉碎时水与CeO2颗粒的质量比为2-32。
15.根据权利要求14所述制备方法，其特征在于，粉碎时水与CeO2颗粒的质量比为8-32。
16.根据权利要求10所述制备方法，其特征在于，其中，粉碎的时间为6-12h。
17.根据权利要求16所述制备方法，其特征在于，其中，粉碎时间为10-12h。
18.权利要求1-5任意一项所述抛光液在化学机械抛光用抛光液中的应用。
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