[发明专利]氧化铟锡垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111571065.8 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114242780A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 吴燕庆;胡倩澜;熊雄;童安宇 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铟锡垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管为垂直型环栅结构，包括绝缘衬底，在绝缘衬底上由下至上依次层叠漏电极、大高宽比的氧化铟锡沟道层和源电极，其中氧化铟锡沟道层被高κ栅介质层和栅电极环绕包覆，形成环栅结构。氧化铟锡沟道由环栅包围，栅控能力增强，能更好地抑制短沟道效应，进一步推进工艺节点，并且相比于平面型环栅在栅长及源漏接触面积上的限制更小，其整体工艺热预算在300℃以内，可进行三维堆叠，因此有效提升了集成密度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 垂直 型环栅 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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