[发明专利]一种巨磁电阻线性传感器实现方法在审
| 申请号： | 202111560518.7 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114280513A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;马成鑫;姜杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种巨磁电阻线性传感器实现方法，属于电子材料与元器件技术领域。首先，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极；然后，在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层、第一铁磁层和保护层；最后，在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备。本发明巨磁电阻线性传感器实现方法，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 线性 传感器 实现 方法 | ||
【主权项】：
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