[发明专利]一种巨磁电阻线性传感器实现方法

权利要求书

1.一种巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、以压电基片作为巨磁电阻线性传感器的基片，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，得到带上下电极的压电基片；

步骤2、在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层和第一铁磁层；

步骤3、在步骤2得到的第一铁磁层上沉积保护层；

步骤4、在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备。

2.根据权利要求1所述的巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，步骤1所述压电基片为PMN-PT、PZN-PT，厚度为0.2～0.8mm。

3.根据权利要求1所述的巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，步骤2所述第一铁磁层和第二铁磁层为磁致伸缩系数不为0的材料或磁致伸缩系数为0的材料，所述第一铁磁层的厚度为12～15nm，所述第二铁磁层的厚度为8～15nm。

4.根据权利要求3所述的巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，当第一铁磁层和第二铁磁层为磁致伸缩系数为0的材料时，所述第一隔离层去掉；当第一铁磁层和第二铁磁层为磁致伸缩系数不为0的材料时，所述第一隔离层的厚度需确保应力传递至反铁磁层而不到达第二铁磁层。

5.根据权利要求1所述的巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，步骤2所述第一隔离层和第二隔离层为Cu、Ta。

6.根据权利要求1所述的巨磁电阻线性传感器实现方法，其特征在于，步骤2所述反铁磁层为IrMn、RhMn、NiO、FeMn，厚度为10～15nm。