[发明专利]基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法

摘要

本发明公开了基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法，包括微纳光学器件和掩模版，掩模版最小图形单元尺寸为4微米，线条每次加宽或缩窄0.1微米，微纳光学元件的相位数据根据设计目标的光场能量分布进行计算，入射光束为高斯光束或平行光束，微纳光学器件使用光学玻璃基板制作，其对波长为532纳米或633纳米的光具有较高透过率，蚀刻采用感应耦合等离子体刻蚀技术，在刻蚀一定深度后，在玻璃基板材料侧壁生成一层钝化层，在形成钝化保护层后，重复刻蚀过程，刻蚀气体将同时刻蚀纵向的玻璃基板与钝化层，本制作方法基于现有的集成电路制作机台和工艺，引入的掩模数据技术可以有效的改善微纳光学器件制作质量。