[发明专利]基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法

权利要求书

1.基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法，其特征在于，包括微纳光学器件和掩模版，掩模版最小图形单元尺寸为4微米，线条每次加宽或缩窄0.1微米，微纳光学元件的相位数据根据设计目标的光场能量分布进行计算，入射光束为高斯光束或平行光束。

2.根据权利要求1所述的基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

T1、根据要求设计微纳光学器件的相位数据，并使用集成电路数据处理软件将相位数据转换成掩模制作使用的数据；

T2、制作掩模版，选择玻璃基板，基于掩模版通过曝光、去胶、刻蚀和清洗工艺制作微纳光学器件，并对制作的微纳光学器件的刻蚀线宽、刻蚀深度和零级衍射能量进行量测；

T3、根据上一步的量测结果对掩模制作使用的数据进行修正，包括线条的加宽及缩窄处理；

T4、重复(T2)步骤，制作出微纳光学器件并进行量测评价，符合设计指标要求则获得微纳光学器件，否则进行(T3)步骤。

3.根据权利要求1所述的一种衍射光学元件制作方法，其特征在于：微纳光学器件使用光学玻璃基板制作，其对波长为532纳米或633纳米的光具有较高透过率。

4.根据权利要求2所述的一种衍射光学元件制作方法，其特征在于：步骤(T2)中，蚀刻采用感应耦合等离子体刻蚀技术，在刻蚀一定深度后，在玻璃基板材料侧壁生成一层钝化层，在形成钝化保护层后，重复刻蚀过程，刻蚀气体将同时刻蚀纵向的玻璃基板与钝化层。钝化层可以起到保护横向形貌的作用，使侧壁不被横向刻蚀。