[发明专利]一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法有效
| 申请号： | 202111554082.0 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114369869B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 金鑫;任俊江;薇儿妮卡·夏丽叶;云飞;张宝峰;肖益波 | 申请（专利权）人： | 赛姆柯（苏州）智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B31/18;C30B31/16 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 樊晓娜 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市漕湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法，系统包括缓冲罐、用于向缓冲罐输送气体的通气机构、用于定量抽取缓冲罐内气体的真空泵、用于检测缓冲罐内的真空值的真空检测部件以及控制器，缓冲罐与通气机构、真空泵、晶体硅反应炉均连通，真空检测部件至少部分设置在缓冲罐内；控制器与通气机构、真空检测部件、真空泵均连接，控制器用于控制真空泵抽取缓冲罐内气体，并用于根据真空检测部件的检测结果控制通气机构向缓冲罐内输送预设流量的气体，使缓冲罐内的真空值达到设定真空值。本发明提供的晶体硅反应炉真空控制系统，可精确调节控制晶体硅反应炉真空度，快速达到指定反应条件所需的真空压力，且确保压力调节的稳定，大大节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 反应炉 真空 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
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