[发明专利]一种晶体硅反应炉真空控制系统及控制方法

权利要求书

1.一种晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的系统包括缓冲罐、用于向所述的缓冲罐输送气体的通气机构、用于定量抽取所述的缓冲罐内气体的真空泵、用于检测所述的缓冲罐内的真空值的真空检测部件以及控制器，所述的缓冲罐与所述的通气机构、真空泵、晶体硅反应炉的尾气出端均连通，所述的真空检测部件至少部分设置在所述的缓冲罐内；

所述的控制器与所述的通气机构、所述的真空检测部件、所述的真空泵均连接，所述的控制器用于控制所述的真空泵抽取所述的缓冲罐内气体，并用于根据所述的真空检测部件的检测结果控制所述的通气机构向所述的缓冲罐内输送预设流量的气体，使所述的缓冲罐内的真空值达到设定真空值；当所述的缓冲罐内的真空值小于设定真空值时，所述的控制器控制所述的通气机构向所述的缓冲罐内输送气体，使所述的缓冲罐内的实际真空值达到设定真空值；

所述的系统还包括用于检测输送至所述的缓冲罐内的气体流量的流量检测部件；

所述的通气机构输送至所述的缓冲罐内的气体流量通过以下公式获得：

CV＝Kp×E+Ki×∫(0，1)E×dt+KddE/dt+B

PA＝PID-CV

E＝PV-SP

其中，SP为输入设定点值，B为输出偏置，Kp为比例，K为微分，Kd为积分，E为偏差，CV为控制输出变量，PA为流量检测部件流量设定值，PID为流量检测部件最大量程，PV为来自模拟量输入模块的过程变量。

2.根据权利要求1所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的通气机构包括气体输送部件、输送管道，所述的输送管道与所述的气体输送部件、所述的缓冲罐均连通。

3.根据权利要求1所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的气体为氮气。

4.根据权利要求1所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的缓冲罐内设置有过滤网，所述的过滤网用于吸附经晶体硅反应炉进入所述的缓冲罐内的反应物。

5.根据权利要求1所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：所述的缓冲罐包括相连通的第一罐体、第二罐体，所述的第一罐体、第二罐体之间通过连接件密封连接。

6.一种晶体硅反应炉真空控制方法，其特征在于：该方法采用权利要求1-5任意一项所述的晶体硅反应炉真空控制系统，其特征在于：包括如下步骤：

S1、将硅片放入晶体硅反应炉后，对晶体硅反应炉升温同时真空泵开始对缓冲罐进行抽真空；

S2、当晶体硅反应炉内温度达到预设温度后，输入真空设定值，真空泵保持对缓冲罐抽真空；

S3、当缓冲罐内实际真空值小于真空设定值时，通气机构向缓冲罐内输送气体，真空泵继续对缓冲罐抽真空，直至缓冲罐内实际真空值达到真空设定值。

7.根据权利要求6所述的晶体硅反应炉真空控制方法，其特征在于：步骤S3之后还包括步骤S4：通入气体，真空泵保持抽真空，且维持缓冲罐内实际真空值达到真空设定值。