[发明专利]图像传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202111553063.6 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN114256280A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 吴恙;杨帆;占琼;胡胜 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 田婷
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所以图像传感器中,背面通道结构包括焊盘通道和包围所述像素区域的环通道,所述环通道从所述衬底背面向下延伸以露出嵌设于衬底正面且包围像素区域的第一沟槽隔离,所述钝化层覆盖所述环通道的内表面,即,位于所述环通道内的钝化层与第一沟槽隔离连接,在像素区域与外围电路区域之间构成物理全隔离,可以有效阻挡外围电路区域产生的暗电流进入像素区域,实现外围电路区域与像素区域之间的有效隔离,并且,所述环通道与设置焊盘的焊盘通道均为背面通道结构,可通过背面通道工艺同步形成,不会显著增加成本及制造复杂性。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
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