[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号: | 202111553063.6 | 申请日: | 2021-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN114256280A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
| 发明(设计)人: | 吴恙;杨帆;占琼;胡胜 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 田婷 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。所以图像传感器中,背面通道结构包括焊盘通道和包围所述像素区域的环通道,所述环通道从所述衬底背面向下延伸以露出嵌设于衬底正面且包围像素区域的第一沟槽隔离,所述钝化层覆盖所述环通道的内表面,即,位于所述环通道内的钝化层与第一沟槽隔离连接,在像素区域与外围电路区域之间构成物理全隔离,可以有效阻挡外围电路区域产生的暗电流进入像素区域,实现外围电路区域与像素区域之间的有效隔离,并且,所述环通道与设置焊盘的焊盘通道均为背面通道结构,可通过背面通道工艺同步形成,不会显著增加成本及制造复杂性。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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