[发明专利]银纳米线薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111551448.9 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN114334274A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 王新月;李奇琳;甘堃 申请(专利权)人: 深圳市善柔科技有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 方良
地址: 518000 广东省深圳市光*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及导电材料技术领域,尤其涉及一种银纳米线薄膜及其制备方法。该银纳米线薄膜的制备方法包括:将银纳米线墨水涂布在基板上,然后干燥处理,得到初始银纳米线薄膜;在初始银纳米线薄膜表面涂布丙烯酸酯溶液,然后固化处理,形成含聚丙烯酸酯的固化层;其中,丙烯酸酯溶液含有丙烯酸酯单体和烯基单体,烯基单体含过渡金属元素,形成的聚丙烯酸酯的相对介电常数大于3。该制备方法可以提高银纳米线的介电环境,抑制银纳米线的表面等离子体共振效应,从而减弱对可见光区的吸收和散射,最终可以降低雾度、增强耐光照性能。
搜索关键词: 纳米 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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