[发明专利]银纳米线薄膜及其制备方法在审
| 申请号: | 202111551448.9 | 申请日: | 2021-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN114334274A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 王新月;李奇琳;甘堃 | 申请(专利权)人: | 深圳市善柔科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市光*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
本申请涉及导电材料技术领域,尤其涉及一种银纳米线薄膜及其制备方法。该银纳米线薄膜的制备方法包括:将银纳米线墨水涂布在基板上,然后干燥处理,得到初始银纳米线薄膜;在初始银纳米线薄膜表面涂布丙烯酸酯溶液,然后固化处理,形成含聚丙烯酸酯的固化层;其中,丙烯酸酯溶液含有丙烯酸酯单体和烯基单体,烯基单体含过渡金属元素,形成的聚丙烯酸酯的相对介电常数大于3。该制备方法可以提高银纳米线的介电环境,抑制银纳米线的表面等离子体共振效应,从而减弱对可见光区的吸收和散射,最终可以降低雾度、增强耐光照性能。
技术领域
本申请属于导电材料技术领域,尤其涉及一种银纳米线薄膜及其制备方法。
背景技术
银纳米线(Silver Nanowires,AgNWs)一般是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料。银纳米线制成的透明导电薄膜具有透明性好、方阻低、可弯折等优点,可以应用于液晶调光薄膜、手写板、大尺寸触控和柔性触控等领域。
因纳米尺寸效应和金属表面等离子体共振效应(surface plasmon resonance,SPR),银纳米线对可见光区有较强的吸收和散射,这样会导致其具有雾度较高和耐光照性能差等缺陷,因此影响产品的普及。
发明内容
本申请的目的在于提供一种银纳米线薄膜及其制备方法,旨在解决如何对银纳米线薄膜降低雾度和增强耐光照的技术问题。
为实现上述申请目的,本申请采用的技术方案如下:
第一方面,本申请提供一种银纳米线薄膜的制备方法,包括如下步骤:
将银纳米线墨水涂布在基板上,然后干燥处理,得到初始银纳米线薄膜;
在所述初始银纳米线薄膜表面涂布丙烯酸酯溶液,然后固化处理,形成含聚丙烯酸酯的固化层;其中,所述丙烯酸酯溶液含有丙烯酸酯单体和烯基单体,所述烯基单体含过渡金属元素,形成的所述聚丙烯酸酯的相对介电常数大于3。
本申请的提供的银纳米线薄膜的制备方法,在初始银纳米线薄膜表面涂布含有丙烯酸酯单体和含过渡金属元素的烯基单体的丙烯酸酯溶液,并进行固化处理,在初始银纳米线薄膜表面形成一层含聚丙烯酸酯的固化层作为保护层(OC,Over Coating);常规的聚丙烯酸酯的相对介电常数在2.4~2.8之间,本申请通过特有单体聚合得到的聚丙烯酸酯的相对介电常数大于3。这样在银纳米线薄膜表面形成含上述聚丙烯酸酯的固化层,可以提高银纳米线的介电环境,进而抑制银纳米线的表面等离子体共振效应,从而减弱对可见光区的吸收和散射,最终可以降低银纳米线薄膜的雾度,并增强其耐光照性能。
第二方面,本申请提供一种银纳米线薄膜,包括银纳米线层和设于所述银纳米线层上的含聚丙烯酸酯的固化层,所述聚丙烯酸酯由丙烯酸酯单体和含过渡金属元素的烯基单体聚合得到,所述聚丙烯酸酯的相对介电常数大于3。
本申请提供的银纳米线薄膜表面设有含聚丙烯酸酯的固化层,该特有的固化层可以提高银纳米线的介电环境,抑制银纳米线的表面等离子体共振效应,从而减弱对可见光区的吸收和散射,最终可以降低银纳米线薄膜的雾度,并增强其耐光照性能,因此具有很好的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的银纳米线薄膜的制备方法流程示意图。
具体实施方式
为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
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