[发明专利]一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备在审
申请号: | 202111550672.6 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114164413A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 张森;于大洋;费磊;王祥;郭付成 | 申请(专利权)人: | 北京沁圆半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C30B25/12 |
代理公司: | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人: | 岳燕敏 |
地址: | 102600 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备,该旋转系统包括:桶状壳体,与反应腔本体连接,且桶状壳体用于封堵反应腔本体的底部敞口,桶状壳体包括顶板及周向侧壁,周向侧壁上具有环形槽,环形槽将桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁和上半部外侧壁;磁悬浮电机,包括定子及转子,定子套置在桶状壳体的周向侧壁外则,转子嵌设在周向侧壁的环形槽内,且上半部外侧壁为定子与转子之间的隔板;旋转筒,用于设置在反应腔本体的中空腔体内,且旋转筒与转子同步旋转;托盘,用于设置在反应腔本体的中空腔体内,且托盘位于所述旋转筒顶部,托盘与旋转筒同步旋转;加热组件,用于设置在反应腔本体的中空腔体内,且加热组件位于托盘的下方。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 设备 旋转 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的