[发明专利]一种用于MOCVD设备的旋转系统及MOCVD设备在审
申请号: | 202111550672.6 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114164413A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 张森;于大洋;费磊;王祥;郭付成 | 申请(专利权)人: | 北京沁圆半导体设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C30B25/12 |
代理公司: | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人: | 岳燕敏 |
地址: | 102600 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 设备 旋转 系统 | ||
1.一种用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述系统包括:
桶状壳体,用于与反应腔本体连接,且所述桶状壳体用于封堵所述反应腔本体的底部敞口,所述桶状壳体包括顶板及沿所述顶板外周布置的周向侧壁,所述周向侧壁上具有环形槽,所述环形槽将所述桶状壳体的上半部周向侧壁分隔为上半部内侧壁和上半部外侧壁;
磁悬浮电机,包括定子及转子,所述定子套置在所述桶状壳体的周向侧壁外则,所述转子嵌设在所述周向侧壁的环形槽内,且所述上半部外侧壁为所述定子与转子之间的隔板;
旋转筒,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,所述旋转筒与所述转子连接,且所述旋转筒与所述转子同步旋转;
托盘,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,且所述托盘位于所述旋转筒顶部,所述托盘与所述旋转筒同步旋转;
加热组件,用于设置在所述反应腔本体的中空腔体内,且所述加热组件位于所述托盘的下方,所述加热组件用于对所述托盘加热。
2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述旋转系统还包括底板,所述底板设置在所述桶状壳体的底部,所述定子与所述底板固定连接。
3.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述上半部外侧壁的厚度小于所述上半部内侧壁的厚度。
4.根据权利要求3所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述上半部外侧壁的厚度为0.5mm至1.5mm。
5.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述桶状壳体的周向侧壁外侧具有凸沿,所述凸沿与所述反应腔本体的底部连接。
6.根据权利要求5所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述凸沿上设有环形密封槽,所述反应腔本体与所述桶状壳体通过O型密封圈密封。
7.根据权利要求5所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述转子的顶部具有朝向所述转子的外部延伸的水平部,在所述转子静止状态下,所述转子的水平部支撑在所述桶状壳体的凸沿上。
8.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述加热组件包括加热器、电极棒、电极板以及电极,所述加热器位于所述托盘底部,所述电极板位于所述加热器底部,所述电极棒的两端分别与所述加热器及电极板连接,所述电极的一端与所述电极板连接,所述电极的另一端延伸至所述反应腔本体的外部。
9.根据权利要求8所述的用于MOCVD设备的旋转系统,其特征在于,所述桶状壳体的顶板上具有电极过孔,且所述电极过孔与所述电极之间的间隙填充有密封件。
10.一种MOCVD设备,其特征在于,所述MOCVD设备包括反应腔室,所述反应腔室包括反应腔本体和如权利要求1至9中任意一项所述的用于MOCVD设备的旋转系统。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的