[发明专利]一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法有效
| 申请号： | 202111550648.2 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114496726B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;洪漪;胡久林 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，在对LTO背封层去边时进行，先进行倒角，将倒角参数设定为300μm以内；而后进行HF腐蚀，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的40％～50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的70％～80％。本发明具体通过LTO膜去边距离调整、去边区域彩虹区大小调整以及平衡彩虹区与硅渣残留问题，有效降低半导体抛光片RRG水平至1％以下，且不会产生硅渣，有效的找到了一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，极具创新性与实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 衬底 外延 后硅渣 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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