[发明专利]一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法有效
| 申请号： | 202111550648.2 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114496726B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;洪漪;胡久林 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 衬底 外延 后硅渣 掺杂 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特征在于，在对LTO背封层去边时进行，先进行倒角，将倒角去边距离设定为300μm以内；而后进行HF腐蚀，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的40％～50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的70％～80％，
其中，X为3～6L，Y为4～8min；腐蚀槽体积为5X，添加HF腐蚀药液后，兑水满槽，腐蚀槽内HF的浓度为8％～10％。
2.根据权利要求1所述的改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特征在于：
其中，倒角去边距离设定为200～250μm范围内。
3.根据权利要求1所述的改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特征在于：
其中，半导体衬底抛光片的尺寸为4～8英寸。
4.根据权利要求1所述的改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，其特征在于：
其中，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的80％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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