[发明专利]一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液有效
申请号: | 202111544337.5 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114350367B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 张庭;李金航;贺兆波;武昊冉;李鑫;欧阳克银;蒋瑜瑜 | 申请(专利权)人: | 湖北兴福电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 王玉芳 |
地址: | 443007 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液,主要成分包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入表面活性剂,表面活性剂具有优良的润湿性且低泡,能够降低蚀刻液的接触角大小,提高蚀刻液浸润性,同时降低表面张力,使蚀刻液与光刻胶下的二氧化硅薄膜接触良好,由于产生气泡量少,能够避免由于气泡导致的蚀刻不均匀问题,保持均匀蚀刻。本发明所述的蚀刻液浸润性优、表面张力低、气泡少,能够均匀蚀刻光刻胶下的二氧化硅薄膜,不产生二氧化硅残留,且对光刻胶无影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 均匀 | ||
【主权项】:
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