[发明专利]一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111537578.7 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114284017A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 彭步庄;任建瑶;李广军;宿云婷 | 申请（专利权）人： | 烟台正海磁性材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;H02K1/06 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 张炳楠 |
| 地址： | 264006 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种R‑T‑B类钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体按质量比为100％计，所述磁体包含如下成分：27.0～35.0wt％的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素；0.80～0.93wt％的B；0.1～0.50wt％的Cu；0.2‑0.5wt％的Ga；0～0.5wt％的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量；0.1～1.5wt％的Al；余量为Fe、Co以及不可避免的杂质、且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt％以上。本申请通过调整R，Cu，Ga，M元素的比例，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量，在合金铸片制成粉末之前，对合金铸片进行750±50℃的保温处理，可在保证90vol％的主相前提下，能够在磁体晶界处形成体积分数40vol％以上的R‑Ga‑Cu‑M相，同时在一定程度上减少R‑T‑Ga相的存在，避免因R‑T‑Ga相较多，使磁体的Hcj降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 类钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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