[发明专利]一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种R-T-B类钕铁硼磁体，其特征在于，按质量比为100％计，所述磁体包含如下成分：27.0～35.0wt％的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素；

0.80～0.93wt％的B；

0.10～0.50wt％的Cu；

0.20～0.50wt％的Ga；

0～0.50wt％的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量；

0.10～1.50wt％的Al；

余量为Fe、Co以及不可避免的杂质、且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt％以上。

2.根据权利要求1所述的磁体，其特征在于，所述R-T-B类钕铁硼磁体包括28.0～33.0wt％的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素；

0.80～0.90wt％的B；

0.22～0.38wt％的Cu；

0.25～0.40wt％的Ga；

0.10～0.30wt％的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量；

0.10～1.00wt％的Al；

余量为Fe和Co以及不可避免的杂质；且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt％以上。

3.根据权利要求1或2所述的磁体，其特征在于，所述R包括Nd，还包括La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和Sc中的至少一种；优选地，所述R为Nd和Dy。

4.根据权利要求1-3任一项所述的磁体，其特征在于，所述R-T-B类钕铁硼磁体中含有R₂Fe₁₄B型主相，主相比例为90vol％以上，优选为92vol％以上。

优选地，所述R-T-B类钕铁硼磁体晶界处至少含有40vol％的R-Ga-Cu-M相，优选为45vol％以上，更优选为50vol％以上；其中，R-Ga-Cu-M相中包括40.0wt％-85.0wt％的R；2.0wt％-10.0wt％的Ga；1.0wt％-6.0wt％的Cu和0.4wt％-4.0wt％的M。

5.权利要求1-4任一项所述的磁体的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)制备R-T-B类钕铁硼磁体合金；

(2)在惰性氛围下，将步骤(1)中R-T-B类钕铁硼磁体合金二次加热，冷却，制备R-T-B类钕铁硼磁体合金铸片；

(3)将步骤(2)中R-T-B类钕铁硼磁体合金铸片吸氢破碎，压制成型，烧结，再进行热处理，制备得到R-T-B类钕铁硼磁体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述R-T-B类钕铁硼磁体合金的制备方法包括：将制备R-T-B类钕铁硼磁体的原料溶解，制备合金溶液，再将合金溶液急速冷却，制备R-T-B类钕铁硼磁体合金。

优选地，步骤(1)中，制备R-T-B类钕铁硼磁体合金的原料为权利要求1-4任一项所述的磁体组分。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，二次加热的温度为700～800℃；二次加热时的升温速率为5-10℃/min。

优选地，步骤(2)中，保温时需对保温处理装置旋转。

优选地，步骤(2)中，压力为10-15KPa。

优选地，步骤(2)中，二次加热后进行保温处理，保温的时间为240-360min。

8.根据权利要求5-7任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述冷却为先缓冷、再急冷；其中，缓冷是指在80-100kPa的惰性氛围下，将合金的温度降至500-550℃，冷却速率为4～8℃/min；急冷是指将温度为500-550℃的合金冷却至80℃以下，冷却速率为15-20℃/min。

优选地，缓冷的时间为25～40min。