[发明专利]FET器件和用于形成FET器件的方法在审
| 申请号： | 202111525961.0 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114664945A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·瑞克特;直人堀口;曾文德 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军;王新华 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一方面，提供了一种FET器件。FET器件包括公共源极本体部分和从其沿第一横向方向突出的一组源极层叉齿。第一介电层部分布置在这些源极层叉齿之间的空间中。器件还包括公共漏极本体部分和沿第一横向方向突出的一组漏极层叉齿。第二介电层部分布置在漏极层叉齿之间的空间中。器件还包括栅极本体，栅极本体包括公共栅极本体部分以及从其沿与第一横向方向相对的第二横向方向突出的一组栅极叉齿。每个栅极叉齿形成在相应的一对第一与第二介电层部分之间。器件还包括沟道区，沟道区包括一组沟道层部分。每个沟道层部分在相应的一对源极层叉齿与漏极层叉齿之间延伸。这些沟道层部分被布置在栅极叉齿之间的空间中。还提供了一种用于形成FET器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | fet 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
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