[发明专利]FET器件和用于形成FET器件的方法在审
| 申请号： | 202111525961.0 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114664945A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·瑞克特;直人堀口;曾文德 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军;王新华 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fet 器件 用于 形成 方法 | ||
1.一种场效应晶体管，FET，器件(100，200)，包括：
源极区(20)，该源极区包括公共源极本体部分(122)和从该公共源极本体部分(122)在第一横向方向上突出的一组竖直间隔开的源极层叉齿(124)，其中，第一介电层部分(126)布置在这些源极层叉齿(124)之间的空间中，
漏极区(30)，该漏极区包括公共漏极本体部分(132)和从该公共漏极本体部分(132)在该第一横向方向上突出的一组竖直间隔开的漏极层叉齿(134)，其中，第二介电层部分(136)布置在这些漏极层叉齿(134)之间的空间中，
栅极本体(140)，该栅极本体包括公共栅极本体部分(142)和从该公共栅极本体部分(142)沿与该第一横向方向相对的第二横向方向突出的一组竖直间隔开的栅极叉齿(144)，每个栅极叉齿(144)形成在相应的一对第一介电层部分(126)和第二介电层部分(136)之间，以及
沟道区(10)，该沟道区位于该源极区与该漏极区之间，并且包括一组竖直间隔开的沟道层部分(112)，每个沟道层部分在相应的一对源极层叉齿(124)和漏极层叉齿(134)之间延伸，其中，这些沟道层部分布置在这些栅极叉齿(144)之间的空间中。
2.根据权利要求1所述的FET器件，其中，该公共源极本体部分(122)和该公共漏极本体部分(132)均由半导体材料形成。
3.根据权利要求1所述的FET器件，其中，该公共源极本体部分(122)和该公共漏极本体部分(132)均由金属形成。
4.根据前述权利要求中任一项所述的FET器件，其中，该公共源极本体部分和该公共漏极本体部分各自包括宽部分(122a，132a)以及分别布置在该宽部分与该源极层叉齿(124)和该漏极层叉齿(134)之间的窄部分(122b，132b)，其中，该宽部分(122a，132a)的横向尺寸超过该窄部分(132a，132b)的横向尺寸。
5.一种具有根据前述权利要求中任一项所述的第一FET器件(1100)和第二FET器件(2100)的装置，这些器件是彼此并排布置的，其中，该第一FET器件的栅极本体(1140)和该第二FET器件的栅极本体(2140)共享被布置在该第一FET器件的沟道区与该第二FET器件的沟道区之间的公共栅极本体部分(3142)，其中，该第一FET器件和该第二FET器件的栅极叉齿(1144，2144)从共享的公共栅极本体部分在相对的横向方向上突出。
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