[发明专利]MWT电池激光打孔隐裂测试方法在审
| 申请号： | 202111523734.4 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN113921416A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 逯好峰;吴仕梁;张凤鸣;耿刘勇 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;G01N21/95 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 韩天宇 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MWT电池激光打孔隐裂测试方法，采用激光打孔、背面布线的技术消除背接触电池上正面电极的主栅线，正面电极细栅线收集的电流通过孔洞中的导电浆料引到背面，然后对打孔边缘处喷洒雾化水，通过强光照射打孔边缘判断是否存在隐裂。检测后若存在隐裂则将成品送入废品区，若不存在隐裂则将成品送入合格品区。本发明在激光打孔后能够有效检测出存在隐裂的废品，防止残次品产生使用隐患。 | ||
| 搜索关键词： | mwt 电池 激光 打孔 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
