[发明专利]MWT电池激光打孔隐裂测试方法在审
| 申请号: | 202111523734.4 | 申请日: | 2021-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN113921416A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 逯好峰;吴仕梁;张凤鸣;耿刘勇 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;G01N21/95 |
| 代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 韩天宇 |
| 地址: | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | mwt 电池 激光 打孔 测试 方法 | ||
本发明提供了一种MWT电池激光打孔隐裂测试方法,采用激光打孔、背面布线的技术消除背接触电池上正面电极的主栅线,正面电极细栅线收集的电流通过孔洞中的导电浆料引到背面,然后对打孔边缘处喷洒雾化水,通过强光照射打孔边缘判断是否存在隐裂。检测后若存在隐裂则将成品送入废品区,若不存在隐裂则将成品送入合格品区。本发明在激光打孔后能够有效检测出存在隐裂的废品,防止残次品产生使用隐患。
技术领域
本发明涉及MWT电池片生产技术领域,具体是一种MWT电池激光打孔隐裂测试方法。
背景技术
MWT电池生产过程中,会采用激光打孔工序对电池表面进行打孔,激光打孔过程中产生硅渣和打孔作用下,会产生肉眼无法直接判断硅片是否出现隐裂,尤其是孔洞边缘,若未发现隐裂继续生产将导致批量不良品流入后道工序。
发明内容
本发明为了解决现有技术的问题,提供了一种MWT电池激光打孔隐裂测试方法,在激光打孔后能够有效检测出存在隐裂的废品,防止残次品产生使用隐患。
本发明采用激光打孔、背面布线的技术消除背接触电池上正面电极的主栅线,正面电极细栅线收集的电流通过孔洞中的导电浆料引到背面,然后对打孔边缘处喷洒雾化水,通过强光照射打孔边缘判断是否存在隐裂。检测后若存在隐裂则将成品送入废品区,若不存在隐裂则将成品送入合格品区。
所述的激光打孔、背面布线过程具体工艺如下:在背接触电池正面利用高强度激光进行激光打孔处理,形成N*N个矩阵锥形孔洞,向孔洞中填充入导电浆料,导电浆料穿过孔洞与正面电极细栅线接触。
所述的隐裂判断过程具体包括以下步骤:
1)将激光打孔后的MWT电池取出,放置在测试平台上,背面朝上;
2)使用雾化装至对水进行雾化,通过喷头将雾化水喷在背接触电池背面;
3)利用强光依次照射每个孔洞,硅片正常情况下应为均匀收缩,若存在隐裂,隐裂出会有肉眼可见的不规则收缩。
本发明有益效果在于:在激光打孔后能够有效检测出存在隐裂的废品,防止残次品产生使用隐患。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为MWT电池激光打孔示意图。
图2为喷雾状态示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明生产制备的MWT电池如图1所示,基体1正面设置有N发射极2和SiNx减反膜3,SiNx减反膜3上分布有正银栅线4,基体背面涂覆有铝背场6。
本发明采用激光打孔、背面布线的技术消除背接触电池上正面电极的主栅线,正面电极细栅线收集的电流通过孔洞中的导电浆料5引到背面,然后对打孔边缘处喷洒雾化水,通过强光照射打孔边缘判断是否存在隐裂。
具体生产工艺如下:
1)在背接触电池正面利用高强度激光进行激光打孔处理,形成N*N个矩阵锥形孔洞,向孔洞中填充入导电浆料,导电浆料穿过孔洞与正面电极细栅线接触。
2)将激光打孔后的MWT电池取出,放置在测试平台上,背面朝上;
3)使用雾化装至对水进行雾化,通过喷头将雾化水喷在背接触电池背面,如图2所示;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





