[发明专利]带自对准隔离部的纳米线/片器件及制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 202111521279.4 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN114220857A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。根据实施例，纳米线/片器件可以包括：衬底；与衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片；位于纳米线/片在第一方向上的相对两端且与纳米线/片相接的源/漏层；沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕纳米线/片的栅堆叠；以及设置在栅堆叠的侧壁上的第一侧墙，其中，第一侧墙包括连续延伸的材料层，该连续延伸的材料层具有沿着纳米线/片的表面的第一部分、沿着源/漏层面向栅堆叠的侧壁的第二部分以及沿着栅堆叠面向源/漏层的侧壁的第三部分，第二部分与第三部分之间具有缝隙或界面。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 隔离 纳米 器件 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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