[发明专利]带自对准隔离部的纳米线/片器件及制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种纳米线/片器件，包括：

衬底；

与所述衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片；

位于所述纳米线/片在所述第一方向上的相对两端且与所述纳米线/片相接的源/漏层；

沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕所述纳米线/片的栅堆叠；以及

设置在所述栅堆叠的侧壁上的第一侧墙，

其中，所述第一侧墙包括连续延伸的材料层，所述连续延伸的材料层具有沿着所述纳米线/片的表面的第一部分、沿着所述源/漏层面向所述栅堆叠的侧壁的第二部分以及沿着所述栅堆叠面向所述源/漏层的侧壁的第三部分，所述第二部分与所述第三部分之间具有缝隙或界面。

2.根据权利要求1所述的纳米线/片器件，其中，所述连续延伸的材料层还具有与所述第一部分相对且连接所述第二部分与所述第三部分的第四部分。

3.根据权利要求1所述的纳米线/片器件，其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分具有实质上均匀的膜厚。

4.根据权利要求2所述的纳米线/片器件，其中，所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分具有实质上均匀的膜厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，其中，所述缝隙为气隙。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，其中，相比于单独以所述纳米线/片在所述第一方向上的端部为种子进行生长的情况，所述源/漏层具有较少的生长缺陷。

7.根据权利要求6所述的纳米线/片器件，其中，所述源/漏层中实质上没有生长缺陷。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，其中，设置有多个所述纳米线/片，每个所述纳米线/片在所述第一方向上彼此实质上平行延伸，且在竖直方向上实质上对准，

其中，在所述多个纳米线/片中的至少一对相邻纳米线/片之间，所述源/漏层具有实质上一致且连续的晶体表面。

9.根据权利要求8所述的纳米线/片器件，其中，所述源/漏层的晶体结构表现为从所述多个纳米线/片之间竖直地连续延伸且实质上一致的晶体表面生长的晶体。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，还包括：

介于所述栅堆叠与所述衬底之间的隔离部，

其中，所述隔离部自对准于所述栅堆叠。

11.根据权利要求10所述的纳米线/片器件，其中，所述第一侧墙没有形成在所述隔离部与所述源/漏层之间。

12.根据权利要求10所述的纳米线/片器件，其中，所述隔离部自对准于所述多个纳米线/片。

13.根据权利要求10所述的纳米线/片器件，其中，所述隔离部具有中空结构。

14.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，还包括：

所述衬底上与所述第一侧墙相接的另一侧墙，所述另一侧墙限定所述源/漏层的下部。

15.根据权利要求14所述的纳米线/片器件，其中，所述另一侧墙限定的空间在所述第一方向上与所述纳米线/片对准。

16.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，还包括：

介于所述第一侧墙与所述源/漏层之间、相对于所述源/漏层具备刻蚀选择性的半导体层。