[发明专利]伪栅平坦化方法在审
| 申请号： | 202111516185.8 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114203539A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 程继 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种伪栅平坦化方法，包括步骤：刻蚀形成包括伪栅层、第一掩模层和第二掩模层的初始伪栅结构，并使第一掩模层的材料和第二掩模层的材料不同；对第二掩模层进行改性以得到改性掩模层，使所述改性掩模层和所述第一掩模层在后续的化学机械平坦化工艺中的刻蚀速度基本一致；形成阻挡层和填充层；采用化学机械平坦化工艺去除部分所述填充层、部分所述阻挡层、所述改性掩模层、所述第一掩模层和部分所述伪栅层，以得到若干高度相同的伪栅结构。使得能够克服前程不同初始伪栅结构高度差带来的负载效应，得到更高精度平坦化效果，以得到高度一致的伪栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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