[发明专利]一种磁控共溅射制备Fe-Sn-Se-Te四元薄膜的方法在审
| 申请号： | 202111505848.6 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114150375A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 刘禹彤;赵勇;秦佳佳;周大进 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/46;H01B12/00 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控共溅射制备Fe‑Sn‑Se‑Te四元薄膜的方法，具体方法如下：1）将铁粉、锡粉、硒粉和碲粉称量、研磨后放入坩埚中，再将坩埚置于石英管中，进行真空封管，将封好的石英管放置在马弗炉中进行烧结，自然冷却取出；2）将所得混合物研磨成粉末，压成坯体，进行高温烧结，制成FeSnSeTe靶材；3）清洗基底；4）将靶材放在靶位上，基底放入腔室中，关闭腔室并抽真空，往腔室中通入氩气，使用射频功率为60~110 W，沉积时间为45~120分钟。溅射结束，关闭电源；5）取出沉积好的薄膜，放入烧结炉中烧结，自然冷却后取出。本发明方法制备的薄膜均匀性好，并且由于Sn的掺杂，提高了FeSeTe材料的超导性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控共 溅射 制备 fe sn se te 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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