[发明专利]用于形成垂直腔面发射激光器的多相生长序列在审
| 申请号： | 202111504358.4 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114696214A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵国为;杨军;A.V.巴韦;M.G.彼得斯 | 申请（专利权）人： | 朗美通经营有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/34;C23C16/30;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贺紫秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种使用多相生长序列形成垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置的方法，包括：在基板上形成第一反射镜；在第一反射镜上形成有源区(例如，稀氮化物有源区)；在有源区上形成氧化孔(OA)层；在所述OA层的表面上形成间隔物；以及在间隔物上形成第二反射镜。在多相生长序列的分子束外延阶段，使用分子束外延(MBE)工艺形成有源区，在多相生长序列的金属有机化学气相沉积(MOCVD)阶段，使用金属有机化学气相沉积工艺形成第二反射镜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 垂直 发射 激光器 多相 生长 序列 | ||
【主权项】：
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