[发明专利]用于形成垂直腔面发射激光器的多相生长序列

权利要求书

1.一种使用多相生长序列形成垂直腔面发射激光器(VCSEL)装置的方法，包括：

在基板上形成第一反射镜；

在第一反射镜上形成有源区；

在有源区上形成氧化孔(OA)层；

在所述氧化孔层的表面上形成间隔物；和

在所述间隔物上形成第二反射镜，其中：

在多相生长序列的分子束外延(MBE)阶段期间，使用分子束外延工艺形成有源区；和

在多相生长序列的金属有机化学气相沉积(MOCVD)阶段，使用金属有机化学气相沉积工艺形成第二反射镜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述垂直腔面发射激光器装置被配置成发射输出光束，

其中输出光束与1200-1600纳米的波长范围相关联。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

基板包括砷化镓(GaAs)；

有源区包括稀氮化物量子阱或砷化铟镓(InGaAs)或砷化铟(InAs)量子点层中的至少一种；

该间隔物包括p掺杂的GaAs层；和

第一反射镜和第二反射镜各自包括一组交替的砷化镓层和铝砷化镓(AlGaAs)层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

第一反射镜是n掺杂分布式布拉格反射器(DBR)；和

第二反射镜是p掺杂的分布式布拉格反射器。

5.根据权利要求1所述的方法，其中:

第一反射镜是n掺杂分布式布拉格反射器(DBR)；和

第二反射镜是n掺杂的分布式布拉格反射器。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

在金属有机化学气相沉积阶段，使用金属有机化学气相沉积工艺在间隔物的表面上形成隧道结，

其中第二反射镜形成在隧道结的表面上。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在分子束外延阶段期间，使用分子束外延工艺形成所述第一反射镜或所述氧化孔层中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在分子束外延阶段期间，使用分子束外延工艺形成所述氧化孔层，并且所述方法还包括：

在分子束外延阶段，使用分子束外延工艺在氧化孔层上形成中间盖；和

使得在在金属有机化学气相沉积阶段期间使用金属有机化学气相沉积工艺形成第二反射镜之前去除中间盖。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在附加的金属有机化学气相沉积阶段期间，使用附加的金属有机化学气相沉积工艺形成所述第一反射镜，并且所述方法还包括：

在附加的金属有机化学气相沉积阶段期间，使用附加的金属有机化学气相沉积工艺在第一反射镜上形成附加的间隔物。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

在附加的金属有机化学气相沉积阶段期间，使用附加的金属有机化学气相沉积工艺在附加的间隔物上形成中间盖；和

使得在分子束外延阶段期间使用分子束外延工艺形成有源区之前去除中间盖。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隔物具有特定的光学厚度，

其中特定的光学厚度使得再生长界面与垂直腔面发射激光器装置的光场驻波的局部最小值一致。