[发明专利]一种纳米级无钴单晶正极材料前驱体及其无钴单晶正极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202111501959.X | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114162882A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 乔水伶;李崇;吕明;梁超;王慧萍;方向乾;曹壮;张彩红;李伟 | 申请（专利权）人： | 扬州虹途电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H01M4/505;H01M4/525;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种纳米级无钴单晶正极材料前驱体及其无钴单晶正极材料的制备方法，直接采用镍、锰金属单质纳米粉末和助熔剂为原料，固相烧结得到纳米级无钴单晶正极材料前驱体，该前驱体的化学表达式为Ni |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 级无钴单晶 正极 材料 前驱 及其 无钴单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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