[发明专利]一种纳米级无钴单晶正极材料前驱体及其无钴单晶正极材料的制备方法

权利要求书

1.一种纳米级无钴单晶正极材料前驱体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1)将镍、锰金属单质纳米粉末和助熔剂按比例混合分散；

S2)将分散均匀后的物料在含氧气氛下进行烧结；

S3)将第一次烧结后的物料自然冷却至室温，经过破碎、过筛，即可获得纳米级无钴单晶正极材料前驱体；

所述前驱体化学表达式为Ni_aMn_bO₂，其中0.70≤a≤0.95，0.05≤b≤0.30，a+b＝1。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1)中镍、锰源为镍、锰金属纳米单质，助熔剂为氧化锶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1)中Ni：Mn的摩尔比为(0.70～0.95)：(0.05～0.30)，助熔剂质量占镍、锰金属单质粉末总质量的0.1wt％～2wt％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2)中所述含氧气氛包括空气、高纯氧气(氧浓度≥95％)中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2)中步骤S2)中烧结温度曲线，在含氧气氛中进行，以5～10℃/min的升温速率从室温升至700～960℃，保温6～22h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3)中所述前驱体的晶体结构完整性好。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3)中所述前驱体，其特征在于，D50粒度在100-900nm之间。

8.一种无钴单晶正极材料的制备方法，其特征在于，通过将权利要求1-7任一项所述的制备方法制备得到的前驱体与氧化锂，在氧气气氛中，在700～920℃下烧结而成。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，前驱体与氧化锂的摩尔比为1：

(1.02～1.15)。