[发明专利]一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111492644.3 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114231903B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 宋丽君;罗扉;赵小明;武超;于仕辉;韩越 申请(专利权)人: 洛阳理工学院
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C28/00;B82Y40/00
代理公司: 洛阳华和知识产权代理事务所(普通合伙) 41203 代理人: 刘亚莉
地址: 471003 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法,清洗衬底并用高纯氮气吹干备用;将银纳米线AgNW与无水乙醇混合均匀制成混合溶液;在衬底表面均匀旋涂AgNW与无水乙醇的混合溶液,之后放置在烘箱中烘干,然后固定到磁控溅射样品台上;将Nb2O5靶材装入真空腔体内,磁控溅射系统的本底真空度抽至2.0×10‑4~1.0×10‑3Pa,通入氩气,压强调节为0.3~5Pa,溅射功率为20~100W,通过沉积在衬底的银纳米线表面得到Nb2O5薄膜;完成后,即得到Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜。本发明制备的Nb2O5/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜具有优异的柔性、粘附性及稳定性,具有较低的电阻和较高的光学透过率,且成本低廉,适合工业化生产。
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 双层 结构 柔性 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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