[发明专利]一种氧化铌/银纳米线双层结构柔性透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜，其特征在于包括衬底和Nb₂O₅/AgNW双层结构，银纳米线AgNW均匀分布在薄膜中，Nb₂O₅层的厚度为60nm；该Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜在波长为550nm时光学透过率为91.2％，方块电阻为8.9Ω/sq；所述Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜是按照以下方法制备的：

(1)依次用无水乙醇和去离子水超声清洗PET衬底，并用高纯氮气吹干，备用；

(2)将银纳米线AgNW与无水乙醇混合均匀制成混合溶液，混合溶液中银纳米线的浓度为1.5mg/ml；

(3)将步骤(1)处理好的衬底吸附在匀胶机上，设置匀胶机参数为600rpm，时间为20s，在衬底表面均匀旋涂步骤(2)制备的AgNW与无水乙醇的混合溶液，使银纳米线旋涂在衬底表面；

(4)将步骤(3)旋涂好银纳米线的衬底放置在烘箱中于60℃下烘烤5分钟；

(5)将步骤(4)烘干后的PET衬底固定到磁控溅射样品台上，衬底涂有银纳米线的一面朝向磁控溅射系统的真空腔体；

(6)将Nb₂O₅靶材装入真空腔体内，靶材与衬底的距离控制在60mm；

(7)将磁控溅射系统的本底真空度抽至5.0×10^-4Pa，通入50sccm的氩气，压强调节为0.6Pa，溅射功率为50W，在室温下，使用Ar作为溅射气体进行沉积，在衬底的银纳米线表面得到60nm厚的Nb₂O₅薄膜；

(8)待步骤(7)沉积完成后，将步骤(7)中获得的薄膜取出，即得到Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜。

2.如权利要求1所述的Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜，其特征在于Nb₂O₅层的厚度为20nm；该Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜在波长为550nm时光学透过率为90.1％，方块电阻为8.6Ω/sq。

3.如权利要求2所述的Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜，其特征在于制备时，步骤(2)中银纳米线的浓度为1.0mg/ml，步骤(3)中设置匀胶机参数为500rpm，时间为5s，步骤(6)中靶材与衬底的距离控制在90mm，步骤(7)中磁控溅射系统的本底真空度抽至1.0×10^-3Pa，压强调节为0.3Pa，溅射功率为20W。

4.如权利要求1-3任一所述的Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜，其特征在于步骤(7)中氩气的纯度在99.99％以上。

5.如权利要求1-3任一所述的Nb₂O₅/AgNW双层结构柔性透明导电薄膜，其特征在于步骤(6)Nb₂O₅靶材中Nb₂O₅的纯度为99.99％。