[发明专利]一种晶体生长热场动态反射屏调整方法在审
| 申请号： | 202111484569.6 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114134561A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赛青林;齐红基 | 申请（专利权）人： | 杭州富加镓业科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/34;C30B29/40 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长热场动态反射屏调整方法，包括步骤：获取熔体表面的熔体温度，籽晶杆的高度以及反射屏的高度；根据所述熔体温度、所述籽晶杆的高度以及所述反射屏的高度，确定所述熔体上热场的温度梯度；当所述温度梯度没有位于预设梯度范围内时，调整所述反射屏的高度，以使所述温度梯度位于所述预设梯度范围内。由于通过熔体温度，籽晶杆的高度以及反射屏的高度，确定热场的温度梯度，并根据温度梯度，调整反射屏的高度，使得温度梯度位于预设梯度范围内，从而降低晶体内部缺陷密度。此外，也可以提高晶体生长效率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 动态 反射 调整 方法 | ||
【主权项】：
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