[发明专利]一种晶体生长热场动态反射屏调整方法

权利要求书

1.一种晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，包括步骤：

获取熔体表面的熔体温度，籽晶杆的高度以及反射屏的高度；

根据所述熔体温度、所述籽晶杆的高度以及所述反射屏的高度，确定所述熔体上热场的温度梯度；

当所述温度梯度没有位于预设梯度范围内时，调整所述反射屏的高度，以使所述温度梯度位于所述预设梯度范围内。

2.根据权利要求1所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述根据所述熔体温度、所述籽晶杆的高度以及所述反射屏的高度，确定所述熔体上热场的温度梯度，包括：

根据所述熔体温度，确定预设的温度梯度的函数关系；

根据所述预设的温度梯度的函数关系、所述籽晶杆的高度以及所述反射屏的高度，确定所述熔体上热场的温度梯度。

3.根据权利要求2所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述预设的温度梯度的函数关系采用如下步骤得到：

固定所述熔体表面的熔体温度不变，调整所述籽晶杆的高度和所述反射屏的高度，并检测所述熔体上热场各处的温度，以得到温度梯度；

根据所述温度梯度、所述籽晶杆的高度以及所述反射屏的高度，得到预设的温度梯度的函数关系。

4.根据权利要求1所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述预设梯度范围根据所述晶体在所述籽晶杆的提升速率下的降温曲线确定，所述晶体在该降温曲线下降温时晶体的内应力小于预设内应力值。

5.根据权利要求4所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述预设梯度范围具有温度梯度最大值和温度梯度最小值；

所述当所述温度梯度没有位于预设梯度范围内时，调整所述反射屏的高度，以使所述温度梯度位于所述预设梯度范围内，包括：

当所述温度梯度大于所述温度梯度最大值时，增加所述反射屏的高度；

当所述温度梯度小于所述温度梯度最小值时，减小所述反射屏的高度。

6.根据权利要求5所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述温度梯度没有位于预设梯度范围内时，调整所述反射屏的高度并减小所述籽晶杆的提拉速率，以使所述温度梯度位于所述预设梯度范围内。

7.根据权利要求4所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述温度梯度位于预设梯度范围内时，增加所述籽晶杆的提拉速率，并更新所述预设梯度范围。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的晶体生长热场动态反射屏调整方法，其特征在于，所述晶体为氧化镓晶体；和/或

所述熔体温度为所述晶体的熔点；和/或

所述反射屏为铱反射屏或铱合金反射屏。

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任一项所述方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。