[发明专利]可分离多层GaN衬底及其制作方法、半导体芯片制作方法有效
| 申请号： | 202111479532.4 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113889528B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 徐琳;苏克勇;陈吉湖;聂恒亮 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/02;H01L21/683;C30B25/20;C30B29/40;C30B33/08 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 赵杰香;金丹丹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可分离的多层GaN衬底，至少包括三层结构，其中包括GaN基层，位于该GaN基层上的氮化物牺牲层，位于该氮化物牺牲层上的GaN功能层，其中所述GaN功能层上设有开窗，所述开窗内设有金属电极，所述金属电极欧姆接触在所述氮化物牺牲层上，这样可以有效改善化学腐蚀氮化物牺牲层时GaN基层出现裂纹的情况，并且对器件寿命具有有效延长。本发明可以通过去除氮化物牺牲层，将GaN基层和功能层分离，分离后的GaN基层可以反复利用，极大地降低了GaN器件的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 可分离 多层 gan 衬底 及其 制作方法 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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