[发明专利]光电探测器在审
| 申请号: | 202111478684.2 | 申请日: | 2021-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN114171613A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 吴昊;郑学哲 | 申请(专利权)人: | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/105 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 杨明莉 |
| 地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本申请涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种光电探测器。一种光电探测器包括:波导层;吸收层,所述吸收层位于所述波导层上表面或至少部分嵌入所述波导层内;包层材料,所述包层材料覆盖所述波导层及吸收层的顶部及侧壁;其中,所述光电探测器至少一端面为入光面,所述吸收层在临近所述入光面的端面的厚度小于其他部分的厚度。本申请通过吸收层在临近入光面的端面的厚度小于其他部分的厚度,进而使临近入光面部分的吸收的光能量小于吸收层其他部分吸收的光能量,进而减小光生载流子在光电探测器的本征区域的聚集程度,增加光生载流子聚集区域的电场强度,减小大光输入对光电探测器带宽和响应度性能的影响,最终提升光电探测器的大光输入阈值。 | ||
| 搜索关键词: | 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





