[发明专利]光电探测器

权利要求书

1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：

波导层；

吸收层，所述吸收层位于所述波导层的上表面或至少部分嵌入所述波导层内；

包层材料，所述包层材料覆盖所述波导层及吸收层的顶部及侧壁；

其中，所述光电探测器至少一端面为入光面，所述吸收层在临近所述入光面的端面的厚度小于其他部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述波导层的厚度大于所述包层材料的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层在临近所述入光面的端面宽度小于所述吸收层其他部分的宽度。

4.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述波导层在临近所述入光面的端面宽度大于所述波导层其他部分的宽度。

5.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层在所述波导层上表面的正投影至少部分位于所述波导层上表面内。

6.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层在所述波导层上表面的正投影位于所述波导层的上表面内，且所述吸收层的中心线偏离所述波导层的中心线。

7.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层在所述波导层上表面的正投影部分位于所述波导层的上表面内，且所述吸收层的中心线偏离所述波导层的中心线。

8.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述波导层相较于相较于所述吸收层延伸方向倾斜预设角度。

9.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述波导层临近所述入光面的端面呈台阶状。

10.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层包括：

第一吸收层及第二吸收层，所述第一吸收层与所述第二吸收层一体连接，且所述第一吸收层位于所述第二吸收层与所述入光面之间；所述第一吸收层的光能量吸收率小于第二吸收层的光能量吸收率。

11.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述吸收层的光能量吸收率自所述入光面向远离入光面的方向逐渐增大。

12.根据权利要求1或2所述的光电探测器，其特征在于，所述波导层包括：

第一波导层及第二波导层，所述第二波导层嵌入所述第一波导层内，且所述第二波导层的上表面高于所述第一波导层的上表面，所述吸收层位于所述第二波导层上表面或至少部分嵌入所述第二波导层。