[发明专利]半导体封装结构及其加工方法在审
| 申请号： | 202111462283.8 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114171455A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 袁仁志;林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 周永强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体封装结构及其加工方法，属于半导体工艺技术领域。一种半导体封装结构的加工方法，包括：提供晶圆，晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，晶圆的第一表面暴露出焊垫；在第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，布线层电连接焊垫；在第二表面上形成有钝化层图案化的第二钝化层；以第二钝化层为掩膜，在预设工艺条件下刻蚀晶圆形成贯穿晶圆的锥形孔，从第二表面至第一表面的方向，锥形孔的宽度逐渐减小，且暴露出第一钝化层；其中，预设工艺条件包括：采用的下电极功率小于或等于50W。采用上述技术方案可以解决目前的封装方法在形成硅通孔时，对后续的金属填充容易造成不利影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
