[发明专利]半导体封装结构及其加工方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供晶圆，所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面暴露出焊垫；

在所述第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，所述布线层电连接所述焊垫；

在所述第二表面上形成有钝化层图案化的第二钝化层；以所述第二钝化层为掩膜，在预设工艺条件下刻蚀所述晶圆形成贯穿所述晶圆的锥形孔，从所述第二表面至所述第一表面的方向，所述锥形孔的宽度逐渐减小，且暴露出所述第一钝化层；其中，所述预设工艺条件包括：采用的下电极功率小于或等于50W；

基于所述锥形孔，在所述第一钝化层上进行刻蚀形成开窗，所述开窗与所述锥形孔连通；

在所述锥形孔和所述开窗中形成金属连接柱，所述锥形孔将所述金属连接柱的一端裸露出来，所述金属连接柱的另一端与所述布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，所述锥形孔的孔壁的倾斜角度为70°～88°；

其中，所述预设工艺条件还包括：上电极功率大于或等于500W，采用的刻蚀气体包括六氟化硫和氧气，腔室压力小于或等于500mTorr。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，所述锥形孔的孔壁的倾斜角度为82°～88°；

在刻蚀形成所述锥形孔时，所述预设工艺条件包括：采用的下电极功率为5～50W，上电极功率为500～5000W，采用的刻蚀气体包括六氟化硫和氧气，所述六氟化硫的流量为10～1000sccm，所述氧气的流量为10～1000sccm，腔室压力为5～500mTorr。

4.根据权利要求2所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，所述锥形孔的孔壁的倾斜角度为70°～79°；

在刻蚀形成所述锥形孔时，所述预设工艺条件包括：采用的下电极功率为5～45W，上电极功率为500～5000W，采用的刻蚀气体还包括八氟环丁烷，所述八氟环丁烷的流量为10～1000sccm，所述六氟化硫的流量为10～1000sccm，所述氧气的流量为10～1000sccm，腔室压力为5～500mTorr。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，所述在所述第一表面上依次形成图案化的第一钝化层和布线层，包括：

在所述第一表面上形成图案化的光刻胶层，以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述第一钝化层进行刻蚀处理，以在所述第一表面上形成所述图案化的第一钝化层；其中，对第一钝化层进行刻蚀处理时，腔室压力为1～30mTorr，采用的上电极功率为600～3000W，下电极功率为50～500W，采用的刻蚀气体包括氩气和碳氟类气体，所述氩气的流量为10～100sccm，所述碳氟类气体的流量为10～100sccm。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，在形成所述图案化的第一钝化层之后，还包括：

在所述第一钝化层的沟槽中沉积金属形成金属层，所述金属层包括钛金属层和铜金属层；

在所述金属层上电镀铜形成所述布线层，所述布线层延伸至所述沟槽外。

7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体封装结构的加工方法，其特征在于，所述在所述锥形孔和所述开窗中形成金属连接柱，所述锥形孔将所述金属连接柱的一端裸露出来，所述金属连接柱的另一端与所述布线层电连接，包括：

在所述锥形孔和所述开窗的侧壁及底部形成停止层；

对所述停止层进行回刻，以去除位于底部的所述停止层；

在所述停止层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成种子层；

基于所述停止层、所述阻挡层和所述种子层，在所述锥形孔和所述开窗内填充金属，以在所述锥形孔和所述开窗中形成金属连接柱，所述金属连接柱与所述布线层电连接；

对所述第二表面进行刻蚀，使所述金属连接柱的一端从所述锥形孔中裸露出来。